全球首款双腔减压外延设备在列！中微公司推 6 款半导体设备破局先进工艺

2025年9月4日，在第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微公司宣布推出六款半导体设备新产品，覆盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延等关键工艺。以下是对这些新产品的详细介绍： - **Primo UD-RIE®**：这是一款新一代极高深宽比等离子体刻蚀机，基于成熟的Primo HD-RIE®设计架构并全面升级，配备六个单反应台反应腔。它通过更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。此外，该设备引入了动态边缘阻抗调节系统、上电极多区温控系统等多项创新技术，提高了晶圆边缘的合格率、设备的稳定性和可靠性，为生产先进存储芯片提供了有力保障。 - **Primo Menova™**：这是一款12寸ICP单腔刻蚀设备，专注于金属刻蚀领域，尤其擅长金属Al线、Al块刻蚀，广泛适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺的核心设备。该设备延续了中微公司量产机型Primo Nanova®的优秀基因，在刻蚀均一性控制方面表现卓越，可实现高速率、高选择比及低底层介质损伤等优异性能。同时，其高效腔体清洁工艺能有效减少腔室污染、延长持续运行时间，集成的高温水蒸气除胶腔室可高效清除金属刻蚀后晶圆表面残留的光刻胶及副产物。 - **Preforma Uniflash®金属栅系列**：这是12英寸原子层沉积产品，涵盖Preforma Uniflash® TiN、Preforma Uniflash® TiAl及Preforma Uniflash® TaN三大产品，能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。该系列产品采用中微公司独创的双反应台设计，系统可灵活配置多达五个双反应台反应腔，满足高真空系统工艺集成需求的同时实现业界领先的生产效率。它还搭载了中微公司独有的多级匀气混气系统、基于模型算法的加热系统设计以及可实现高效原子层沉积反应的反应腔流导设计等核心技术，在薄膜均一性、污染物控制能力及生产效率方面均达到世界先进水平。 - **PRIMIO Epita® RP**：这是全球首款双腔减压外延设备，作为目前市场上独有的双腔设计外延减压设备，其反应腔体积为全球最小，且可灵活配置多至6个反应腔，在显著降低生产成本与化学品消耗的同时，实现了高生产效率。该设备搭载拥有完全自主知识产权的双腔设计、多层独立控制气体分区，以及具备多个径向调节能力的温场和温控设计，确保了优秀的流场与温场均匀性及调节能力。凭借卓越的工艺适应性和兼容性，该设备可满足从成熟到先进节点的逻辑、存储和功率器件等多领域外延工艺需求。