打破垄断，中国首台，10nm压印光刻机系统交付！

2025年8月1日，璞璘科技自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印光刻系统正式交付国内特色工艺客户。这一突破标志着中国在高端半导体装备领域打破了日本佳能的长期垄断，为国产芯片制造自主化进程注入了强劲动力。相关介绍如下： - **技术突破**：该设备攻克了步进硬板非真空贴合、纳米级喷胶控制、残余层均匀性等核心技术难题，实现了平均残余层＜10nm、残余层变化＜2nm、压印结构深宽比＞7:1的关键指标，可支持线宽＜10nm的纳米压印工艺。其独创的模板面型控制系统可实时监测微米级形变，并通过激光热变形技术实现纳米级校正，达到国际领先水平。 - **优势特点**： - **成本优势显著**：无需EUV光刻机的复杂光源系统，设备投资成本仅为EUV的40%，能耗降低90%。以存储芯片为例，采用纳米压印技术可使3D NAND堆叠层数提升30%，同时降低20%的制造成本。 - **技术路线独特**：与佳能的技术路线不同，璞璘科技的PL-SR设备采用喷墨式涂胶+步进压印方案，在兼容性和扩展性上更具优势，已验证可适配长江存储的Xtacking 4.0架构和长鑫存储的DRAM堆叠工艺。 - **交付意义**：此前，日本佳能是全球唯一能量产半导体级纳米压印设备的企业，其FPA-1200NZ2C系统虽宣称可用于5nm逻辑芯片制造，却被列入对华禁运清单。而璞璘科技的PL-SR设备通过自主创新，在存储芯片、硅基微显、硅光集成等领域完成研发验证，为国内厂商提供了替代方案，打破了国外的技术垄断，标志着我国在“后摩尔时代”新型芯片制造装备领域实现自主突破，为国产半导体产业链开辟了又一差异化技术路径。